张盼盼，北京邮电大学集成电路学院特聘研究员，博士生导师。2012年毕业于南开大学微电子学专业，获理学学士学位；2017年毕业于北京大学物理电子学专业，获理学博士学位；2017-2021年在新加坡国立大学从事博士后研究；2021-2022年在上海交通大学担任助理教授，博士生导师, 2022年获评“上海市领军人才”；2023年以“托举人才A类”引进至北京邮电大学集成电路学院，2023年获评“唯新学者”。

主要研究方向

 后摩尔微纳电子器件-工艺-电路协同设计方法学研究, 包括：（1）器件建模及物理特性研究（TCAD和紧凑模型开发方法），如碳基晶体管、薄膜晶体管和铁电场效应晶体管等 ；（2）PDK和标准单元库敏捷开发；（3）模拟集成电路设计等。

另外，本人所在研究团队（与北京大学电子学院联合培养，有完善先进的微纳加工平台和扎实的学术积累）还包含以下研究方向：

（1）高性能碳基电子器件与集成电路；

（2）高性能碳基生化传感器及系统集成；

（3）三维集成模拟电路系统；芯片演示系统和规范体系；

（4）碳基射频芯片与毫米波雷达；

长期招收相关专业硕士、博士研究生和博士后，欢迎感兴趣的同学投递简历至tanji_ic@bupt.edu.cn，来信请注明想开展的研究方向。

代表性成果

 近5年代表性成果（#表示第一作者，*表示通讯作者）：

（1）Wenhui Wang, Meishan Zhang, Jun Lan, Jiqing Lu, Mei Shen, Feichi Zhou, Longyang Lin, Panpan Zhang* and Yida Li*. Transport Study of PEALD IGZO TFT at Cryogenic Temperatures down to 6 K. International VLSI Symposium on Technology, Systems and Applications (VLSI TSA), 2024.

（2）Jia Si*, Panpan Zhang, Zhiyong Zhang*. Roadmap for and technique challenges of carbon nanotube integrated circuit technology. National Science Review, 11:nwad261,2024.

（3）Wenhui Wang^#, Ke Li^#, Jun Lan, Mei Shen, Zhongrui Wang, Xuewei Feng, Hongyu Yu, Kai Chen, Jiamin Li, Feichi Zhou, Longyang Lin*,Panpan Zhang*, Yida Li*. CMOS backend-of-line compatible memory array and logic circuitries enabled by high performance atomic layer deposited ZnO thin-film transistor.Nature Communications 14, 6079 (2023).

（4）Yanxia Lin^#, Yu Cao^#, Sujuan Ding,Panpan Zhang, Lin Xu, Chenchen Liu, Qianlan Hu, Chuanhong Jin, Lian-Mao Peng*, Zhiyong Zhang*. Scaling aligned carbon nanotube transistors to a sub-10 nm node.Nature Electronics 6, 506 (2023).

（5）Pengkun Sun, Nan Wei*,Panpan Zhang, Yingjun Yang, Maguang Zhu, Huiwen Shi, Lian-Mao Peng, Zhiyong Zhang*. How to build good inverters from nanomaterial-based transistors.Nano Research, 1-7 (2023).

（6）Panpan Zhang, Xuewei Feng, and Xuanyao Fong*. Impact of trap profile on the characteristics of 2D MoS2 memtransistors: A simulation study.IEEE Trans. Electron Devices 69, 4750 (2022).

（7）Panpan Zhang, Lin Wang, Kah-Wee Ang, and Xuanyao Fong*. Transition from trap-mediated to band-like transport in polycrystalline monolayer molybdenum disulfide memtransistors.App. Phys. Lett.117, 223101 (2020).

（8）Panpan Zhang, Subhranu Samanta, and Xuanyao Fong*. Physical insights into the mobility enhancement in amorphous InGaZnO thin-film transistor by SiO2 passivation layer.IEEE Trans. Electron Devices 67, 2352 (2020).